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SiのNMR (H//a)神戸 振作; 酒井 宏典; 徳永 陽; Lapertot, G.*; 松田 達磨*; Knebel, G.*; Flouquet, J.*; Walstedt, R. E.*
no journal, ,
単結晶YbRhSi低温でのNMRを報告する。前回はH//cの結果であったが、今回はH//aの結果について報告する。H//c同様にフェルミ液体と非フェルミ液体の共存が見られたが、その磁場、温度依存は異なっている。
谷塚 英一; 安原 亮*; 山田 一博*; 舟場 久芳*; 波多江 仰紀; 伊丹 潔
no journal, ,
これまでに、プラズマ中でレーザーを往復させることにより磁力線にほぼ垂直方向と磁力線から70度近く傾いた2方向の電子温度を比較してきた。その結果、大型ヘリカル装置で5keV以上程度の高温プラズマを生成したときには、磁力線から70度傾いた方向の電子温度よりも磁力線に垂直方向の電子温度のほうが系統的に高いという測定結果を得ていた。ただし、測定誤差が大きく、また、電子温度を測定している2方向の差が20度しかないため、非等方性の発現条件と電子衝突度などの関係を定量的に議論することが困難であった。そこで、高温のプラズマに対して測定精度を向上させるために、分光器の短波長側に波長チャンネルを増強した。さらに、より磁力線に近い方向の電子温度が測定できるよう、プラズマを水平方向から観測する集光光学系を新設した。新設した集光光学系について感度較正を行い、プラズマ計測に十分な集光性能があることを確認した。講演では、新設及び既設集光光学系を用いて測定した3方向(磁力線から約10度, 70度, 90度傾いた方向)の電子温度比較に関して、電子衝突度との相関などに着目した議論を行う。
森林 健悟
no journal, ,
重粒子線の動径線量分布は重粒子線癌治療の治療計画に使用されているが、細胞の致死率で重要な領域である重粒子線の軌道付近は不確かである。そこで、この領域において、この分布を現実に近づけるため、動径線量シミュレーションモデルの開発を行っている。本講演では、入射重粒子線の電荷数の動径線量への影響のシミュレーション研究の成果を報告する。重粒子線が体内に深く侵入するにつれて、重粒子線のエネルギーの減少と共に重粒子線の平均電荷数も減少する。例えば、1MeV/uの炭素線の場合、水の中での平均電荷数は約5である。この場合、炭素線の最大電荷数(6)に比べて動径線量が最大約50
減少することがわかった。
Cuの生成・分離研究川端 方子; 橋本 和幸; 佐伯 秀也; 塚田 和明; 渡辺 智; 永井 泰樹
no journal, ,
Cuは、治療用放射性医薬品として将来性が高く注目されている。
C(d,n)反応からの高速中性子を利用して
ZnOから製造すると、副生成RIが他の製造法に比べて非常に少なく、高純度のCuを単離できることを既に報告しているが、本研究では、新たに副生成RIの
Niを分離し、より高純度のCu製造を目指した。結果、既報の分離法と同等の装置で時間的に大差なく、放射性核種純度の高いCuを得ることができた。
松岡 清吉*; 井戸村 泰宏; 佐竹 真介*
no journal, ,
軸対称トカマクにおいて非軸対称の摂動磁場が存在した場合、軸対称性が破れることで新古典粘性が誘起され運動量輸送やプラズマの回転分布などに影響を与える。本研究では、新古典トロイダル粘性をfull-fジャイロ運動論シミュレーションを用いて評価し、その評価法や結果の妥当性について検討している。発表では、トカマクに微小な共鳴摂動磁場が印加された場合の新古典トロイダル粘性のパラメータ依存性について、理論及び新古典輸送コードによる結果と比較することで議論する。
家田 淳一; 山根 結太*; Hemmatiyan, S.*; Sinova, J.*; 前川 禎通
no journal, ,
磁場勾配のもとにおかれた磁気バブル配列が電圧(スピン起電力)を生成することを示す。発生する電圧の理論式を導出し、電流駆動磁化ダイナミクスにおける非断熱性を記述する現象論的パラメータ
の値を直接測定する手段を与える。このスピン起電力によって、磁場勾配を利用した新しいタイプのスピントロニ クス素子開発への扉が開かれる。
坂井 徹; 笠原 稔弘*; 中野 博生*; 肘井 敬吾*; 奥西 巧一*; 岡本 清美*
no journal, ,
S=1/2三本鎖スピンチューブにおける桁方向の交換相互作用、鎖方向の交換相互作用、リング交換相互作用の大きさを変化させた場合の量子相転移について、数値対角化と有限サイズスケーリングで理論的に調べた結果を報告する。
肘井 敬吾*; 坂井 徹; 宮下 精二*; 太田 仁*
no journal, ,
一次元S=1/2三量体量子スピン鎖における動的感受率の数値的な研究を行った。以前に網代らによって高周波ESRにおいて観測された単一S=3/2量子スピン鎖とは異なる複合スピンS=3/2鎖を特徴づけると考えられる結果を理論的に解明すべく数値計算を行い、動的感受率の磁場の強さ依存性や温度依存性等を議論する。
相田 敏明*; 秦 はるひ; 笹倉 万里子*; 横山 薫
no journal, ,
座標データの集合から、それを発生した確率分布を推測する方法として"混合正規分布の学習"法がよく知られている。本研究では、複雑な混合分布が複数混合されている状況において、観測された座標データから"混合分布間の混合比、ある混合分布内の要素的分布の混合比とそれらのパラメータ"を推測する。これは、従来の混合正規分布学習を階層的に定式化することにより実現される。
線エネルギースペクトルからの核種組成推定問題へ応用することにより、我々の学習法の有効性について議論、報告する。
Siの電子状態藤森 伸一; 小畠 雅明; 竹田 幸治; 岡根 哲夫; 斎藤 祐児; 藤森 淳; 山上 浩志; 松本 裕司*; 山本 悦嗣; 立岩 尚之; et al.
no journal, ,
角度分解光電子分光によりThRuSiのバンド構造およびフェルミ面の導出を行った結果について報告する。バンド計算の結果との比較を行い、その電子状態について議論する。さらにURuSiに対する実験結果との比較を行って、URuSiのバンド構造とフェルミ面におけるU 5f電子状態の寄与についても議論する。
E電離箱のパルス信号に及ぼす同重体干渉の影響松原 章浩; 藤田 奈津子; 西澤 章光*; 三宅 正恭*
no journal, ,
加速器質量分析では
Be, 
Cl等、希少核種をE電離箱で計数する。それらの安定同重体(Beに対してB, Clに対してS)の比電荷は希少核種のそれに等しくなるため、電磁界フィルターでは分別されず、希少核種と同様にE電離箱に入射する。この入射率は希少核種のそれに比べ著しく高いため、希少核種のパルス信号に同重体の信号が干渉し、希少核種の測定が妨害される。本研究では、希少核種と同重体の分別の向上を目指し、パルス信号に及ぼす同重体干渉の影響を調べた。その結果、同重体の入射エネルギーを増加させるとパルス高の変動幅が大きくなるとともにパルス高の平均値が計算値に比べ低くなることが分かった。この原因は、同重体の多重入射のため蓄積された正電荷により、電子ドリフトのための電界が遮蔽されたことにあると考えられる。
中嶋 享*; Harries, J.; 岩山 洋士*; 久間 晋*; 宮本 祐樹*; 永園 充*; 大饗 千彰*; 富樫 格*; 繁政 英治*; 笹尾 登*
no journal, ,
SCSSのEUV-FELにより1s3p状態へ励起されたヘリウム原子から放出される多準位間同時超放射の測定結果について報告する。それぞれの超放射の遅延時間と強度のヘリウム原子密度依存性は複雑な振る舞いを示し、単純な二準位模型では説明ができないものである。講演では測定結果の詳細と二準位模型の予想からのずれについて報告する。
大饗 千彰*; Harries, J.; 岩山 洋士*; 久間 晋*; 宮本 祐樹*; 永園 充*; 中嶋 享*; 繁政 英治*; 若林 知成*; 笹尾 登*
no journal, ,
SCSSのEUV-FELにより1s3p状態へ励起されたヘリウム原子から放出される多準位間同時超放射測定に対する解析結果を報告する。観測された超放射の遅延時間及び強度は、従来用いられてきた単純な2準位模型だけでは理解できない。本講演ではFELによるヘリウム原子の励起及びそれからの超放射についてシミュレーションを行い、多準位系における超放射の成長機構を解明したので報告する。
太田 幸宏; 町田 昌彦
no journal, ,
超伝導検出器は超伝導の圧倒的優位性が示され得る機能デバイスであり、中性子, 単一光子, X線, 線など各種粒子/線源への適用が盛んに研究されている。本講演では、マルチピクセル化に適するとされる運動インダクタンスを利用した超伝導検出器の特性評価について、特に高温・高バイアス電流領域での理論基盤を構築する。1次元GL理論による精査の結果、熱的揺らぎ効果が主要なとき、位相すべりにより運動インダクタンスのバイアス電流依存性は非単調なものとなることを予測する。この予測に基づき、2010年に発表された運動インダクタンスに関する実験成果を説明する。
石野 雅彦; 長谷川 登; 錦野 将元; Skobelev, I.*; Faenov, A.*; Pikuz, T.*; Inogamov, N.*; 河内 哲哉; 山極 満
no journal, ,
波長13.9nm、パルス幅7psのピコ秒軟X線レーザーパルスを物質表面に集光照射すると、アブレーションによって損傷構造が形成される。モデル計算によるアブレーションモデルの理論的考察からは、破砕的なアブレーション過程が提唱されており、特にアブレーション閾値近傍の低フルーエンス領域では、表面溶融層が飛散することによる損傷構造の形成が示唆されているが、アブレーション機構の詳細を解明するためには、実験観察に基づくモデル計算が重要となる。最近、我々は軟X線レーザーによって起こるアブレーション機構の解明を目指して、軟X線レーザーパルスの照射時にアブレーションに伴って発生する可視発光の観察を試みた。これにより照射によって加熱される物体の電子温度が明らかになると期待される。実験の結果、軟X線レーザーを集光照射した物質表面には損傷構造が形成されたが、アブレーションに伴う可視発光を捉えることはできなかった。これは、アブレーションに伴うプラズマまたは高温の融解層が生成されてないことを示唆している。
福田 祐仁; Marocchino, A.*; Romagnani, L.*; Levy, A.*; 神野 智史*; Lancia, L.*; Ravasio, A.*; Schiavi, A.*; Atzeni, S.*; Doria, D.*; et al.
no journal, ,
アルゴンクラスターターゲットにLULI ELFIE laser(2J, 600fs)を照射し、発生した輻射性blast waveの時間発展を、干渉像計測とプロトンラジオグラフィーを用いて観測した。その結果、時刻の経過とともに、円筒型に膨張するプラズマの先端密度が急峻化し衝撃波が形成される様子が観測された。また、膨張するプラズマの先端にはプレカーサーの存在が確認され、衝撃波の構造形成に非局所性エネルギー輸送の効果が寄与していることが示唆された。
久保田 正人; 山田 浩之*; 澤 彰仁*; 中尾 裕則*; 村上 洋一*
no journal, ,
ペロブスカイト型マンガン酸化物LaMnO
とSrMnOは、バルク状態においては共に反強磁性絶縁体であるにも関わらず、超格子薄膜(LaMnO)m/(SrMnO)nでは、積層枚数(m,n)により、多彩な相図や巨大な磁気抵抗効果を示す。しかし、これらの物性に関するメカニズムの詳細については明らかになっていない。発表では、超格子薄膜内での磁性を解明するための偏極中性子反射率測定の現状について議論する。
ガラス研究服部 高典; Yagafarov, O.*; 片山 芳則; 千葉 文野*; 佐野 亜沙美; 稲村 泰弘; 大友 季哉*; 松崎 祐樹*; 下條 冬樹*
no journal, ,
PLANETはJ-PARC MLFに建設された高圧専用の中性子粉末回折装置である。その最大の特徴は、6軸型のキュービック・アンビルプレス「圧姫」を用いて高温高圧下(10GPa, 2000K)での構造解析をできる点にある。2013年度より運用をはじめ、現在一般ユーザーに開放されている。PLANETは、結晶のみならず液体の高圧下での構造変化を調べられるように、高圧セル等の試料周りの散乱を取り除く工夫がなされている。2013年度までに、SiOガラスの約10GPaまでの良質なデータの取得に成功した。今回それらのデータをKENSのHIT及びJ-PARC BL21で開発されたS(Q)導出プログラム(nvaSq.py及びhitsq.py)を用いて解析を行った。高圧データへの適用の前に、高圧セルのS(Q)への影響を調べるために、高圧セル内にいれた常圧下の試料を解析し、既存のS(Q)と一致することを確認した。その後、高圧下で測定されたデータへの適用を行い、約10GPaまでのS(Q)を得た。その結果、約10GPaまでは、(1)中距離構造を変化させることにより高密度化する、(2)この際配位数の上昇は伴わないことが確認された。このことは、非結晶物質の構造を高精度に調べるツールができたことを示す。当日は、高温高圧下での構造変化に関して議論する予定である。
石川 法人; 大久保 成彰; 田口 富嗣
no journal, ,
酸化物に高速重イオンを照射すると、イオンの通過するパスに沿って連続的に欠陥集合体(イオントラック)が形成されることがある。これまで、イオントラックの形成メカニズムを主に調べてきたが、本研究では、照射表面に(つまりイオントラックの末端に)形成されるナノ構造体を詳細に調べた。イオントラックとその表面ナノ構造体の形成メカニズムは深くかかわっているので、表面ナノ構造体の形状、結晶構造を評価することは重要であるが、それらを分解能よく評価する技術は存在しなかった。今回、その形状、結晶構造を透過型電子顕微鏡観察する技術を開発できたので報告する。
7再構成表面ストレスのその場測定朝岡 秀人; 魚住 雄輝; 鈴木 翔太*; 山口 憲司
no journal, ,
表面に存在するストレスは成長原子の拡散、吸着過程などのカイネティクスを変化させるため、表面ストレスの解明・制御がナノ構造創製のために有力な手段となる。我々はSi(111)77再構成構造に内在するストレスを実験的に捉えるため、Ge/Si(111)ヘテロ成長過程のストレス変化の観測に加え、水素終端表面と、清浄再構成表面とのストレス差から、最表面の再構成構造に起因するストレスを実験的に捉えることに成功した。